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[实用新型]一种磁控溅射靶罩-CN201320172332.9有效
发明人：孟彬;孔明;刘肖肖;徐定能 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射靶罩，属于高真空磁控溅射镀膜领域。在磁控溅射靶上安装有可调节高度的磁控溅射靶罩，磁控溅射靶罩的上端开口，开口端对准沉积基片。磁控溅射靶和沉积基片放置在溅射室内，溅射室上有可以观察溅射情况的观察窗。磁控溅射靶罩通过螺纹与磁控溅射靶连接，磁控溅射靶罩的上端与沉积基片始终保持1～2mm的距离，以便观察溅射时能否起辉。该靶材罩能够将靶材和基片之间的空间区域封闭起来，并有效阻断沉积粒子向溅射室内壁和观察窗的沉积，降低溅射室和观察窗的污染。
一种磁控溅射

[发明专利]一种采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法-CN202210638878.2在审
发明人：王浪平;孙田玮;黄新放;王小峰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法，它涉及一种提高磁控溅射沉积效率的方法。本发明要解决现有磁控溅射沉积效率低的问题。方法：一、将溅射靶材放入靶座中，调整靶座与磁控靶冷却底座之间存在间隙；二、通过高功率脉冲磁控电源形成高功率脉冲磁控溅射放电，直至靶材表面熔化；三、溅射。本发明用于采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法。
一种采用液态金属功率脉冲磁控溅射提高沉积效率方法

[发明专利]一种磁控溅射设备-CN201410184891.0在审
发明人：宋太伟;高伟波 -专利权人：上海建冶环保科技股份有限公司
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁控溅射设备，包括磁控溅射室，其左、右侧壁设置一个进气口和抽气口；溅射靶、靶材，位于磁控溅射室内下部；磁铁，位于磁控溅射室内溅射靶底部；可移动基板台，位于磁控溅射室内上部，在其与溅射靶的相对面上设置有基片；保护罩，位于磁控溅射室内，放置在靶材和可移动基板台之间；高频电源，位于磁控溅射室外，其正负极分别与基板台和溅射靶连接；通电线圈，垂直放置在基板台和溅射靶之间，用于产生变化的磁场。本发明的实施可以增加了电子与沉积粒子的碰撞机率，达到控制粒子大小和沉积速度的目的，实现纳米级薄膜的磁控溅射沉积。
一种磁控溅射设备

[发明专利]一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置及方法-CN201110193065.9无效
发明人：肖金泉;张露;石南林;宫骏;孙超 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2011-07-11 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术，具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置及方法，一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题，实现沉积过程的连续性和稳定性该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室，工件转架置于磁控溅射真空室中，靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中，中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶材I相接，中频脉冲磁控溅射电源的阳极与靶材II相接。本发明通过调节磁控溅射装置中真空室内的气体流量、反应气体种类、溅射时间等，实现在连续SiC纤维表面沉积不同种类和不同厚度的金属或化合物薄膜，对SiC纤维进行表面改性。
一种 sic 纤维表面沉积薄膜装置方法

[发明专利]一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置-CN201310576275.5有效
发明人：周灵平;朱家俊;彭坤;李德意;杨武霖;李绍禄 -专利权人：湖南大学
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该装置将离子束、磁控溅射两种镀膜技术集成于一个真空室，通过设计多个镀膜工位并经样品台旋转与镀膜工位重合完成不破坏真空情况下的复合镀膜，设备可实现离子束溅射沉积、离子束辅助沉积、离子束直接沉积、单靶磁控溅射沉积、双靶磁控溅射聚焦共沉积、双靶磁控溅射垂直沉积多层膜、离子束磁控溅射复合镀膜等多种镀膜方式，大大扩展了设备的生产和研究功能。利用该装置采用离子束磁控溅射两步法沉积微晶硅薄膜可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；镀膜在同一真空室内完成，节约设备成本。
一种离子束磁控溅射复合镀膜装置

[实用新型]一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置-CN201120242853.8有效
发明人：肖金泉;张露;石南林;宫骏;孙超 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2011-07-11 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： D06M11/83 文献下载
摘要：本实用新型涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术，具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置，一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题，实现沉积过程的连续性和稳定性该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室，工件转架置于磁控溅射真空室中，靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中，中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶材I相接，中频脉冲磁控溅射电源的阳极与靶材II相接。本实用新型通过调节磁控溅射装置中真空室内的气体流量、反应气体种类、溅射时间等，实现在连续SiC纤维表面沉积不同种类和不同厚度的金属或化合物薄膜，对SiC纤维进行表面改性。
一种 sic 纤维表面沉积薄膜装置

[发明专利]一种复合式磁控溅射沉积台-CN201811060180.7有效
发明人：丁红;乔宪武 -专利权人：杭州联芳科技有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于磁控溅射装置，具体涉及一种复合式磁控溅射沉积台。一种复合式磁控溅射沉积台，母沉积台和子沉积台，其特征在于：母沉积台固定在真空室内部下方，且位置在磁控溅射装置的正下方，子沉积台通过电机装置连接到母沉积台上方，并且子沉积台的台面能够水平转动，电声换能装置固定在母沉积台上，与子沉积台的台面水平。
一种复合磁控溅射沉积

[发明专利]一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法-CN201810062341.X有效
发明人：宁洪龙;陈建秋;姚日晖;杨财桂;陶瑞强;周艺聪;邓宇熹;周尚雄;袁炜健;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法。室温下依次用射频磁控溅射在衬底上沉积一层Al2O3缓冲层，用射频磁控溅射沉积一层Nd‑IZO半导体层，用直流磁控溅射沉积一层ITO源漏电极，用射频磁控溅射沉积一层Al2O3栅极绝缘层，用直流磁控溅射沉积一层ITO栅电极；整个器件在大气环境下350本方法能实现只用磁控溅射设备制备顶栅结构薄膜晶体管，且器件具有优异的正负偏压稳定性和光照稳定性。
一种磁控溅射制备透明结构薄膜晶体管方法

[发明专利]一种磁控溅射沉积装置及磁控溅射沉积方法-CN202210399726.1在审
发明人：刘金营 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射沉积装置及磁控溅射沉积方法，磁控溅射沉积装置中包括沉积腔室、靶材、磁控管及晶圆基座，沉积腔室的侧壁设置有靶材入口及靶材出口；靶材自靶材入口送入沉积腔室，以在沉积腔室的顶侧设置靶材，且通过靶材的运行，将靶材自靶材出口移出沉积腔室，以改变靶材在沉积腔室中的位置；磁控管位于沉积腔室中的靶材的上方，用于提供磁场；晶圆基座位于沉积腔室的底部，并与靶材相对设置，用于放置待沉积的晶圆。本发明在进行磁控溅射沉积时，可通过靶材的运行，改变靶材在沉积腔室中的位置，以提升靶材消耗的均匀性，从而可提高磁控溅射沉积的均匀性，达到均匀溅射的目的，以提高产能并降低制造成本。
一种磁控溅射沉积装置方法

[发明专利]条形磁铁、磁靶及磁控溅射设备-CN201310739712.0有效
发明人：李正亮;刘震;丁录科;孙冰;曹占锋;惠官宝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及磁控溅射技术领域，尤其涉及一种条形磁铁、磁靶及磁控溅射设备，所述条形磁铁在中间区域设有凸起结构。本发明提供的条形磁铁、靶材及磁控溅射设备，通过条形磁铁设有的凸起结构，在采用磁控溅射方式沉积薄膜过程中，为磁控溅射区域提供磁感应强度强弱分布均匀的磁场，确保沉积的薄膜厚度均匀。
条形磁铁磁控溅射设备

[发明专利]一种磁控溅射设备及方法-CN201310185242.8有效
发明人：陈鹏;耿波 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射设备及方法，用于在磁控溅射沉积后，对沉积在被加工工件表面的薄膜层表面进行轰击，使其表面粗糙化；磁控溅射设备包括反应腔室、溅射电源、基座、靶材、轰击气源和偏压单元，溅射电源与靶材电连接，用以向靶材输出溅射功率；轰击气源用于在完成磁控溅射沉积之后向反应腔室内通入不与沉积在被加工工件表面上的薄膜发生反应的轰击气体，并由偏压单元和/或溅射电源将轰击气体激发形成等离子体；偏压单元用于向基座加载负偏压，以使等离子体轰击被加工工件上经过磁控溅射沉积后形成的薄膜表面。本发明提供的磁控溅射设备，其可以避免出现金属电极层剥落的问题，且不仅生产投入成本较低，而且可以保持原有的工艺流程基本不变。
一种磁控溅射设备方法

[发明专利]一种锡酸镉（CTO）薄膜退火方法-CN201610807885.5在审
发明人：杜忠明;刘向鑫 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种锡酸镉(CTO)薄膜退火方法，利用氮气气氛退火，方法如下将沉积有锡酸镉薄膜的衬底放入退火炉腔室中，通入氮气；退火温度为560℃～1100℃，退火时间为5分钟至50分钟。沉积所述的锡酸镉薄膜的方法包括射频磁控溅射、中频磁控溅射、射频反应磁控溅射和直流反应磁控溅射沉积法。
一种锡酸镉 cto 薄膜退火方法

[发明专利]一种在导电基体材料上制备纳米氮化钛层的方法-CN201310572300.2有效
发明人：高原;张焱;王成磊;吴炜钦;张光耀;韦文竹;陆小会 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：发明公开了一种在导电基体材料上制备纳米氮化钛层的方法，它是利用磁控溅射技术在基体表面沉积一层纳米级的纯金属或合金过渡层，再利用磁控溅射技术和电弧离子镀技术共同快速沉积一层氮化钛层，之后再利用磁控溅射技术沉积一层纳米级的氮化钛层本发明利用磁控溅射沉积微细纳米粒子，提高过渡层的结合力；利用电弧离子镀沉积速度快的特点提高效率；利用磁控溅射沉积一层致密的和高质量的纳米级的氮化钛层提高表面质量。
一种导电基体材料制备纳米氮化方法

[发明专利]一种在锆包壳表面制备铬涂层的方法及包含铬涂层的锆包壳-CN202210460545.5有效
发明人：栾佰峰;杨晓玲;孙德恩 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种在锆包壳表面制备铬涂层的方法及包含铬涂层的锆包壳，该制备方法包括：切割制备合金板材样品，对其进行打磨抛光，然后进行超声清洗，烘干得基材；将基材放入磁控溅射沉积室内，磁控溅射沉积室内设置有两块铬靶，两块铬靶分别连接有直流磁控溅射电源和高功率磁控溅射电源，操作时，将沉积室抽真空后通入氩气，待沉积室内气体稳定后，打开离子源和偏压电源，采用离子源对基材进行溅射清洗，然后开启高功率磁控溅射电源，在基材表面沉积铬涂层，然后再开启直流磁控溅射电源，继续在基材表面沉积铬涂层，溅射完成后冷却至室温，制得。
一种锆包壳表面制备涂层方法包含

[发明专利]一种异质结太阳能电池前电极及其制备方法-CN202110098442.4在审
发明人：王正安;来华杭;郭峰;俞峰;周海龙 -专利权人：浙江上方电子装备有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请提供了一种异质结太阳能电池前电极及其制备方法，其中制备方法包括：采用磁控溅射方法依次在异质结太阳能电池的PN结上沉积组成前电极的种子层和主层；种子层的磁控溅射工艺为：采用包含两个靶材的双极磁控溅射系统进行磁控溅射，两个靶材的溅射粒子流相互碰撞散射后沉积在异质结太阳能电池的PN结上；主层的磁控溅射工艺为：采用至少包含一个靶材的磁控溅射系统进行磁控溅射，各靶材的溅射粒子流以垂直于种子层的方向沉积在种子层上。本申请提供的异质结太阳能电池的前电极制备方法，对现有磁控溅射工艺进行改进，改善前电极的光电转化效率。
一种异质结太阳能电池电极及其制备方法

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